SJT 11060-1996 电子元器件详细规范3DG3130型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
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ID： |
D3BCA1F54E59408EBD9D3583BCB3AC2D |
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文件大小(MB)： |
0.55 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国国家标准,电子元器件详細规范,3DG3130 型,高频放大环境额定双极型晶体管,Detail specification for electronic component,GB 10279—88,降为 SJ/T 11060-96,Bipolar transistor for ambient-rated,high-frequency amplification of type 3DG3130,本标准规定了 3DG3130型高频放大环境额定双极型晶体管的详细要求”,本标准适用于3DG3130型高频放大环境额定双极型晶体管,本标准是按GB 6217《高低频放大环境额定双极型晶体管空白详细规范》制定的,符合GB4936.1,（半导体分立器件总规范》!类的要求,华人民共和国电子工业部1988-04-22批准1989-08-01 实施,1,GB 10279 — 88,国家标准局,评定器件质量的根据キ,GB 4936.1,《半导体分立器件总规范》,.,GB 10279一,3DG31S0型详细规范,订货资料:见本规范第7章,机械说明,外形标准:GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中代,号E3—Q1A型,外形图及引出端识别;,2简要说明,高频放大环境额定双极型晶体管,半导体材料：N型硅,封装:塑料（非空腔）,应用丒主要用于电子调谐器UHF、VHF频段本,振,混频及其它高频电路中.,0.65±0eU,I i,0.G5 ± OJ5,标志:见本规范第6章,3质景评定类别,U类,参考数据.,P（〇 t= 150mW,Jc=50mA,fr>1400MHz,Cob<2PF,2,GB 10279ー鮎,4极限值（絶対量大额定值）,除非另有规定,Tamb=25七,条文号名称符号,数值,4.1,4.2,4.5,4.6,4J.2,5电特性,环境温度,贮存温度,最大集电极一基极直流电压,最大集电极ー发射极直流电压,最大发射极一基极直流电压,最大集电极直流电流,最大集电极耗散功率,最高有效结温,检验要求见本规范第8章,T sab,VcBO,VcKO,Vebo,Ic,Pte t,T(vl),条文号,特性和条件,除非另有规定,Trb=￡5P,符号,数值,最小值,5U 共发射极正向电流传输比静态值75,5.4,5.6,Vce = 4V Jch5mA,c ボ,75,120,200,特征频率,v cb=4y,5mA,f — 200MHz,集电极一基极截止电流,Vcb=15V,集电极ー发射极截止电流,Vce= 10 V,门「做Ti—iw聿vw丒1一石丒% 4.,国,最小值最大值,单位,-55,-55,最大值,400,140,240,400,125,125,15,10,3,50,150,125,单位,lb,ft,1400 MHz,w,ICBO(1),1CEO,0.1 pA,1 ji A,X3,V,V,V,mA,mW,检脸组别,A2b,A4,A2b,A 2b,a,3,GB 10279—88,续表,条文号,特性和条件,除非另有规定,T丒.b=25P,1T,5J 高温下的集电极一基极截止电流,Vb=iqV Ig?o,T3=100七,5.8 发射极一基极截止电流,Vr@=2V,Ic==0,5.9 集电极ー发射极饱和压降,Ic=20mA,lB==4mA,5J2 共基极输出电容,Vcb = 4V,Ib?0,fTMHz,共基极反馈电容,Vcb=4V,Ie—0,5J4 集电极一基板时间常数,Vcb^^V,Ik5mA,f=31.9MHz,符号,数值,最小值最大值,单位检验组别,Icbo(2),Ibso,VCE(???),Cハ,…しCc,10 nA,A 2b,0.1 nA,A2b,2,20,V,pF,PS,C2a,C2a,C2a,6嶂志,机1器件上的标志,、简略型号5,b.制造厂商标,6.2包装盒上的标志,a.型号（和简略型号）和质丒类别,b,制造厂名称和商标,c.检验批识别代码,丒丒防瀬”筹,4,GB 10279—88,At*,7订货资料,a,型号ユ,b丒本规范编号j,c,其它,8试验条件和检雌要求,在本章中,除非另有规定,引用的条文号对应于GB 4936.1的条文号:测试方法引自GB 4936.1第,6.L1 条.,全部试验都是非破坏性的,检验或试验符号引用标准,条 件,除非另有规定,检验要求,极限,最小值最大值,跑位!［类 卒 ULTPD,A份组,外部目检,5.1.1,标志清晰,表5,面无机械损伤,A2a分组,不工作話件,共发射极正向电流传输比静,态值,集电极一基极截止电流,A2b分组,FB <1 ),IcBOd ),共发射极正向电流传输比静hFE(l),态值,集电极一基极截止电流,集电极一发射极截止电流,发射极一基极截止电流,集电极ー发射极饱和压降,ICEO,ISBO,VcE( sat>,T-006,T—001,T—006,T—001,T—009,3 T,T—003,Vce = 4V, Ic=5mA,Vcb = 15V, Ie^O,Vce=4V, Ic=5mA,Vcb = 15V, Ie=0,Vce=10V,V B B= 2V，Ic = 0,Ic=20mA, Ib?4mA,《5,>10,75 400,0.1,1,0.1,0.5,uA,A4分组,特征频率T-041 Vcb=4V,5mA,f==200MHz,レA,gA,nA,V,1400 MHz 20,5,GB 10273—88,■ 'JWh,B组--- 逐批,只有标明（D）的试验是破坏性的,条件,检验要求,检验或试验符号引用标准,除非另有规定,Tgb=25t,极限,单位,最小……
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